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SK海力士宣布推出业界首款4D闪存。

发布时间:2018-10-25 15:47:49

美国闪存峰会的第一天已经结束,有许多亮点。 Keynote,倒数第二次出现(在中国的长江储存之前)是SK海力士,在全球DRAM市场份额中排名第五,在DRAM方面排名世界第二。首先是3D NAN

  美国闪存峰会的第一天已经结束,有许多亮点。 Keynote,倒数第二次出现(在中国的长江储存之前)是SK海力士,在全球DRAM市场份额中排名第五,在DRAM方面排名世界第二。首先是3D NAND的技术路线选择。 SK海力士表示,CTF(Charge Trap Flash)小于浮栅(慢门)存储单元。、更快,、更耐用(更多P / E时间))。事实上,三星自2013年推出第一代V-NAND 3D闪存以来一直使用CTF,东芝/西方(SanDisk)BiCS也是如此。当然,美光/英特尔仍然坚持浮动门,但这并不重要,毕竟它们拥有更强大的3D Xpoint(基于相变存储器,也称为ReRAM磁阻存储器)。接下来,SK海力士宣布推出全球首款4D闪存。从现场技术演示来看,4D闪存非常类似于之前长江存储的Xtacking,只是外围电路(PUC,Peri.Circuit)低于存储单元。好处是三点。一个是芯片面积更小。、处理时间缩短、,降低了成本。在参数方面,业界首款4D闪存是V5 512Gb TLC,具有96层堆叠、I / O接口速度1.2Gbps(ONFi 4.1标准)、面积13平方毫米,在今年第四季度采样。 BGA封装可以达到1Tb(128GB),模块可达2TB,插头可达2.5英寸U.2,它可以是64TB,它将在2019年上半年进行采样。在性能方面,V5 4D芯片面积比V4 3D小20%。

  、读取速度提高30%。、写入速度提高25%。此外,V5 4D还计划QLC闪存,通过96层堆叠,单个芯片最小1Tb,样品生产于明年下半年。期待SK Hynix的内部4D闪存已推向128层堆栈,很快它就可以在单个芯片上达到512GB,在2025年在单个芯片上达到8TB。目前,SK海力士的3D NAND是72-单个芯片上最多512Gb(64GB)的层堆栈。第一个企业级产品PE4010于今年6月发布到Microsoft Azure Server。